igbt是什么(详解功率半导体器件)
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IGBT，全称为Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管，是一种功率半导体器件。IGBT结构上类似于MOSFET，但是其工作原理类似于双极型晶体管，因此被称为绝缘栅双极型晶体管。
IGBT的结构
IGBT由NPN型双极型晶体管和PNP型双极型晶体管组成，中间夹着一个绝缘栅。绝缘栅通过控制电压来控制电流的流动，从而实现对电路的控制。
IGBT的工作原理
IGBT的工作原理类似于双极型晶体管。当控制电压施加在绝缘栅上时，会形成一个电场，使得N型区域中的自由电子被吸引，从而形成一个导电通道。这个导电通道连接了P型区域和N型区域，从而形成了一个PNP型双极型晶体管。
当电路中施加一个正向电压时，PNP型双极型晶体管会被打开，从而导通电流。当电路中施加一个反向电压时，PNP型双极型晶体管会被关闭，从而截止电流。
IGBT的优点
相比于其他功率半导体器件，IGBT有以下优点：
1. 低开关损耗。IGBT的开关速度比较慢，因此在开关过程中会产生较少的开关损耗。
2. 高输入阻抗。IGBT的输入阻抗比较高，可以减少输入信号的失真。
3. 高电压能力。IGBT可以承受较高的电压，可以用于高压电路。
IGBT的应用
IGBT广泛应用于各种功率电子设备中，例如变频器、电力电子设备、电动汽车、电力电子变换器等。
如何选择IGBT
选择IGBT需要考虑以下因素：
1. 电压等级。需要选择能够承受电路电压的IGBT。
2. 电流等级。需要选择能够承受电路电流的IGBT。
3. 开关速度。需要根据具体应用场景选择合适的开关速度。
4. 散热能力。需要选择能够承受电路功率的IGBT，并且需要考虑散热问题。
结论
IGBT是一种重要的功率半导体器件，具有低开关损耗、高输入阻抗和高电压能力等优点。在选择IGBT时需要考虑电压等级、电流等级、开关速度和散热能力等因素。
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